Le centre de R&D Imec a obtenu un rendement de conversion record de 22,02% pour une cellule solaire de grande dimension réalisée en technologie silicium n-PERT (passivated emitter, rear totally diffused) sur une tranche de substrat Cz-Si de type N de 150 x 150 mm …

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Ce résultat est notable parce qu'il combine à la fois le rendement record et un nouveau procédé de contacts en double face (Ni/Cu/Ag en face avant et gravure laser de la couche diélectrique en face arrière puis métallisation), le tout sur une tranche de silicium de dimension standard. L'utilisation d'un substrat de type N est une solution prometteuse pour les futures générations de cellules solaires à haut rendement, car ce type de substrat est moins sensible aux impuretés métalliques et sans dégradation induite par l'exposition au soleil.

L'Imec a réussi à améliorer le rendement notamment grâce à une surface active plus importante et le recours à des procédés de dopage au laser pour obtenir des paramètres intéressants en tension circuit ouvert et courant de court-circuit (684mV et 39,9 mA/cm2 respectivement).